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肇庆半导体废水处理方案

工程概况

某公司是生产多晶体硅半导体材料的专业公司。该公司多晶硅生产装置所产生的酸性废水、硅棒高纯水洗产生的废水、含硅废水、浸蚀酸废液等需要处理才能排放,处理后的废水可以回用于喷淋塔、冷却塔清洗等。


设计进水水量水质

  设计处理规模为:360m3/d。

  根据业主提供污水水质,数据如下(单位为mg/l):

表1 废水水质水量一览表

类型COD(mg/l)SS(mg/l)备注
半导体废水≤600ppm≤400


污水处理排放标准

  根据业主要求规划,废水经处理后出水的排放标准执行广东省地方标准《水污染物排放限值》(DB44/26-2001)第二时段一级标准和《城市污水的水质标准与再生水利用》(GB/T19923-05)之较严者,具体相关指标如下表2所示(单位为mg/l):

表2 出水指标排放标准(单位mg/l,除pH外)

序号参数排放标准
1PH6—9
2SS≤10
3CODcr≤60
4BOD5≤10
5总铜≤0.5

  废水处理系统(MCR)出水可以达标或回用作为杂用水,也可经过回用水处理系统进行处理,回用水系统出水水质可优于自来水水质要求,满足超纯水系统进水水质。


工艺设计分析

   废水经过一级物化处理后,达到表三标准排放的废水,主要成份含量:Cu≤5ppm、硅粉等微量固形物、悬浮物;需要进行膜处理才能达到回用水质指标。


污水处理工艺流程图


五、处理工艺流程图

工艺说明

  ①介质滤器、活性炭滤器和其它制程产生的水进入废水处理系统调节池,与工业废水综合后进行物化沉淀处理。

  ②工业废水经过“调节池+絮凝反应池+斜管沉淀池+MCR膜化学反应器”处理,去除残留的微量固形物、悬浮物。经MCR产水泵到收集水箱。水量:18m3/h(360m3/D)。

  ③产水经过UV防止胞外聚合物对后续处理的污染。经炭滤处理去除小分子有机物后,进入RO系统进行一次预脱盐:

  ④纯水制备产生的RO浓水,水质浊度低,含盐量相对较高。进入浓水收集水箱,与工业废水RO系统产生的浓水进行混合。进行EDI(膜分盐系统)处理后,产生的淡液经过 PH调整后,进行膜回收处理后回用。

  ⑤EDI浓水收集后,作为介质滤器的反洗水;中央空调冷却循环补水,多余水作为杂用水,或溢流到应急水池废水处理。


预计处理效率

表3 废水膜处理和浓水回收减量数据表

水质类型水量 (m3/h)给水TDS(mg/L)回收水量(m3/h)浓水量(m3/h)效率 %浓水去向
MCR膜处理17.940017 0.9
污泥浓缩池
废水反渗透回收系统1740013.63.480浓水收集池
分盐膜处理系统8.830008.10.792委外或排放
淡液回收处理系统8.120006.91.385委外或排放
EDI浓水1.8



介质反洗水,循环水补水
回收水

20.51.989


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